Удвоение числа транзисторов на кристалле каждые 24 месяца при сохранении стоимости микросхемы.
Уменьшение транзистора позволяло пропорционально снижать напряжение питания: плотность мощности оставалась стабильной при росте частоты.
Память Registered ECC (обнаружение двойных и исправление одиночных ошибок SECDED), контроль четности PCIe AER, защита от повреждений тихих данных.
Коэффициент готовности г = MTBF / (MTBF + MTTR)$. Резервирование питания +1 / 2N$, вентиляторы Hot-Swap, кластерная репликация.